Silicon Carbide Campus di Catania: approvato il finanziamento dell’UE

Di Stefano Trevisan 2 minuti di lettura
Semiconduttori

La Commissione Europea ha autorizzato il finanziamento per un nuovo impianto manifatturiero di carburo di silicio (SiC) a Catania, nel sito della STMicroelectronics. Questo impianto, il primo al mondo completamente integrato per il carburo di silicio, vedrà un investimento pluriennale di 5 miliardi di euro, di cui 2 miliardi saranno supportati dallo Stato italiano nell’ambito dell’Eu Chips Act. Il nuovo impianto produrrà carburo di silicio da 200 mm in grandi volumi per dispositivi e moduli di potenza, oltre a ospitare attività di test e packaging.

Silicon Carbide Campus di Catania: una rivoluzione per l’industria

Il Silicon Carbide Campus di Catania rappresenta una realizzazione significativa del piano di STMicroelectronics per una completa integrazione verticale delle capacità nel SiC. Questo progetto, che include tutte le fasi dalla ricerca e sviluppo alla produzione, offrirà ai clienti dei settori automotive e industriale la possibilità di migliorare l’efficienza energetica e avanzare nel processo di elettrificazione. Jean-Marc Chery, President & CEO di STMicroelectronics, ha sottolineato che il nuovo impianto contribuirà significativamente alla leadership di ST nella tecnologia SiC, grazie alle dimensioni di scala e alle sinergie offerte.

La visita della Commissaria europea alla Concorrenza, Margrethe Vestager, insieme al ministro delle Imprese, Adolfo Urso, al sito di ST a Catania, ha segnato l’importanza di questo annuncio. Il campus integrerà tutte le fasi del flusso di produzione: sviluppo di substrati in SiC, processi di crescita epitassiale, fabbricazione front-end di fette da 200 mm, assemblaggio back-end dei moduli e attività di ricerca e sviluppo avanzate.

Un polo centrale per l’ecosistema SiC globale

Il centro di Catania diventerà il polo centrale per l’ecosistema globale del carburo di silicio di STMicroelectronics. Sarà il primo impianto in Europa a produrre in grandi volumi fette di SiC da 200 mm, con tutte le fasi del processo – substrato, epitassia, front-end e back-end – condotte con tecnologie avanzate a 200 mm per garantire rese e prestazioni superiori.

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